硬件(Feb.17)——新年新气象

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大家好,我是愤鸟。之前说好的周更因为各种原因没有实现,先在这道歉,以后没有意外(考试啥的)一定周更。顺便祝大家新年快乐。

(请忽略字幕,谢谢(ノ´∀`*))

 

岁末年初,IT圈内事情蛮多。

首先要讲的,是农企即将推出的Ryzen(Zen架构)处理器。

对于关注硬件新闻的读者来说,应该对Ryzen不算陌生吧。对于没关注这方面新闻的读者,就让我来给你们介绍一下Ryzen吧:

去年12月中旬,AMD展示了Ryzen处理器(8C16T,3.2Ghz)怼6900K的场景。(视频av7518512,7527865)

大概是去年年底,又爆出8C款Ryzen频率已经上升到3.6GHz~3.9GHz—-而最初曝光时频率其仅为2.8GHz。

现在,无论I饭A饭,都关注Ryzen何时发布以及发布之后的表现。只是这次AMD的保密工作做得真心不错,基本上没有明确的消息,只知道3月前可以发布即上市。我们呢,只需要等待就行了。

然后,是Intel宣称可以在10nm节点取得突破。

Intel高级院士Mark Bohr表示,Intel 10nm工艺的晶体管密度不但会超过现在的Intel 14nm,还会优于其他公司的10nm。

听起来很厉害的样子,不过工艺提升至10nm带给普通用户的也许只是更小的芯片(晶体管不增加的情况下),更低的功耗(和/或)更高的频率,更低的发热,性能大幅度提升还是需要架构的改动。

之后呢,就是祝贺国产存储芯片取得重大突破

2016年,中国政府/民间资本似乎突然加大了对存储芯片的投资,各种存储有关企业如雨后春笋般冒出。尽管他们生产的还是NAND,甚至没怎么出货,但是我相信,在中国人民的努力下,总会有几家把这个市场玩得产能过剩(玩得几乎只剩中国企业)的。

正当中国人民准备欢度新年之时,SMIC宣布出样40nm ReRAM芯片。

先科普一下ReRAM:ReRAM是和3D XPoint一样的下一代存储芯片。据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。(基本来自ZOL)

虽然现在工艺还是40nm,还只是出样,但是SMIC称,更加先进的28nmReRAM将于今年上半年问世。要是中国的芯片企业大都获得了生产ReRAM 芯片的能力,对中国存储芯片的发展帮助极大。

结束之前,还要祝贺一下MC PE 1.0的发布。

关于MC PE 1.0,小溪已经讲过了,我这里就不详细讲了,就放张图展示一下。

最后,祝大家鸡年大吉吧。

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